[实用新型]一种采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片有效
| 申请号： | 201220458660.0 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN202869715U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 潘允敬;伞海生;李永钦 | 申请（专利权）人： | 厦门海合达汽车电器有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361009 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片，涉及一种微机电系统器件。提供一种高可靠性，可避免压敏电阻不一致和用于将压阻式压力传感器芯片与外电路连接的金属丝容易断裂等问题的采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片及其制备方法。所述采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片设有芯片主体，所述芯片主体设有带方形压力腔的硅基底和硅薄膜，所述硅薄膜表面设有一个压敏电阻，所述硅基底与硅薄膜通过硅硅直接键合结合；采用倒装焊接方法将压阻式压力传感器的芯片焊接在PCB板上；所述压敏电阻与外电路的3个与压敏电阻等阻值的电阻组成一个完整的惠斯登电桥。制备时，先制备硅基底部分，再进行装配及后续工艺，最后连接芯片外部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 倒装 焊接 压阻式 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种采用倒装焊接的压阻式压力传感器芯片，其特征在于设有芯片主体，所述芯片主体设有带方形压力腔的硅基底和硅薄膜，所述硅薄膜表面设有一个压敏电阻，所述硅基底与硅薄膜通过硅硅直接键合结合；采用倒装焊接方法将压阻式压力传感器的芯片焊接在PCB板上；所述压敏电阻与外电路的3个与压敏电阻等阻值的电阻组成一个完整的惠斯登电桥。
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