[实用新型]高度较高磁体辐射充磁导磁结构有效
| 申请号： | 201220459163.2 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN202771892U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 周勇 | 申请（专利权）人： | 成都图南电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高度较高磁体辐射充磁导磁结构，包括由线圈绕制的上螺旋管（1）和下螺旋管（2），上螺旋管（1）的下底面和下螺旋管（2）的上底面为平面，在下螺旋管（2）的上底面中心设置有导磁定位柱（3）和能自由活动的圆柱环形导磁套（4）。充磁时，将磁体元件（5）放置在导磁定位柱（3）和导磁套（4）之间。本实用新型的优点在于：采用耐高温线圈，提高设备的使用寿命；采用双向导磁结构，能使磁体元件均匀受力，保证磁体内外磁力均匀，保证磁体获得较高的磁通密度。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 磁体 辐射 充磁 结构 | ||
【主权项】：
高度较高磁体辐射充磁导磁结构，其特征在于：它包括由线圈绕制的上螺旋管（1）和下螺旋管（2），上螺旋管（1）的下底面和下螺旋管（2）的上底面为平面，在下螺旋管（2）的上底面中心设置有导磁定位柱（3）和能自由活动的圆柱环形导磁套（4）。
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