[实用新型]正装结构的高压直流或交流芯片

摘要

本实用新型揭示正装结构的高压直流或交流芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元芯片。相邻的单元芯片通过透明电极电连接。全部单元芯片以串联方式连接，形成低价的高压正装结构芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成低价的交流正装结构芯片。

主权项

一种正装结构的高压直流或交流芯片，包括： 生长衬底：所述的生长衬底包括，硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底、石墨衬底、玻璃衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底或氮化铝陶瓷衬底； 多个单元半导体外延薄膜：所述的单元半导体外延薄膜形成在所述的生长衬底上；所述的单元半导体外延薄膜包括：依次形成在所述的生长衬底上的n‑类型限制层、活化层和p‑类型限制层；每个所述的单元半导体外延薄膜和其下面的生长衬底形成单元芯片； 在预定的位置，所述的单元半导体外延薄膜的部分所述的n‑类型限制层暴露； 相邻的所述的单元半导体外延薄膜之间，所述的生长衬底暴露； 钝化层：所述的钝化层层叠在所述的每个单元半导体外延薄膜以及相邻的所述的单元半导体外延薄膜之间的暴露的生长衬底上；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的p‑类型限制层的上方的预定的位置上具有窗口，所述的p‑类型限制层在所述的窗口中暴露；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的暴露的n‑类型限制层的上方的预定的位置上具有窗口，所述的n‑类型限制层在所述的窗口中暴露； 透明电极：所述的透明电极包括至少一个p‑透明电极和至少一个连接透明电极； 所述的p‑透明电极通过所述的钝化层在所述的p‑类型限制层上方的窗口，层叠在所述的p‑类型限制层上； 所述的连接透明电极把一个芯片上的所述的单元芯片连接成为一个正装结构的高压直流或交流芯片。