[实用新型]比较器的前级差分放大电路有效
申请号: | 201220472766.6 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN202798591U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 王纪云;余力;王晓娟 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种比较器的前级差分放大电路。该电路的第一输出端(OUT1)和第二输出端(OUT2)连接比较器的两个输入端,所述前级差分放大电路包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本实用新型的有益效果是:该电路可以将输入到比较器的差分信号放大,避免了比较器的盲区,使得比较器的工作范围更宽,适用范围更广。 | ||
搜索关键词: | 比较 级差 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种比较器的前级差分放大电路,其特征在于,该电路的第一输出端(OUT1)和第二输出端(OUT2)连接比较器的两个输入端,所述前级差分放大电路包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6);所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接电压源(VDD),栅极连接第二PMOS晶体管(P2)的栅极,漏极连接第一NMOS晶体管(N1)的漏极;所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接电压源(VDD),漏极连接第二输出端(OUT2)、第三NMOS晶体管(N3)的漏极和第四NMOS晶体管(N4)的漏极;所述第三PMOS晶体管(P3)的源极连接电压源(VDD),栅极连接第四PMOS晶体管(P4)的栅极,漏极连接第二NMOS晶体管(N2)的漏极;所述第四PMOS晶体管(P4)的源极连接电压源(VDD),漏极连接第一输出端(OUT1)、第五NMOS晶体管(N5)的漏极和第六NMOS晶体管(N6)的漏极;所述第一NMOS晶体管(N1)的栅极连接第一输入端(N1),源极通过恒流源(I)接地;所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极连接第二输入端(N2),源极通过恒流源(I)接地;所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极连接第五NMOS晶体管(N5)的栅极,源极接地;所述第四NMOS晶体管(N4)的栅极连接第六NMOS晶体管(N6)的栅极,源极接地;第五NMOS晶体管(N5)的源极和第六NMOS晶体管(N6)的源极均接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州单点科技软件有限公司,未经郑州单点科技软件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220472766.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:石英晶体封焊上料箱的固定销
- 下一篇:启动保护电路