[实用新型]单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件及镀钯设备有效
| 申请号： | 201220473088.5 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN202786411U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 富之柢 | 申请（专利权）人： | 富之柢 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 100076 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件，包括磁体和阴极靶，其特征在于，所述的阴极靶为内圆筒，其两端与两个法兰密封连接；所述的磁体为至少一个圆环，并套在内圆筒的外周面；在该磁体的外侧套装一与该内圆筒同轴的外圆筒，该外圆筒的两端也与所述的法兰密封连接；在磁体的两端和外周面留有冷却液间隙，在外圆筒的两端设有冷却液接口；在两个法兰的外侧通过数个绝缘子各连接一个阳极支架。本实用新型的优点是：利用单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件的圆环形的磁体在其轴线的垂直面上产生一个沿圆周均匀的电磁场，只需要单晶铜键合引线沿轴线匀速移动即可在其表面溅射一层均匀的钯膜；简化了被溅射材料支撑装置的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶铜键合 引线 磁控溅射 镀膜 组件 设备 | ||
【主权项】：
一种单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件，包括磁体和阴极靶，其特征在于，所述的阴极靶为内圆筒，其两端与两个法兰密封连接；所述的磁体为至少一个圆环，并套在内圆筒的外周面；在该磁体的外侧套装一与该内圆筒同轴的外圆筒，该外圆筒的两端也与所述的法兰密封连接；在磁体的两端和外周面留有冷却液间隙，在外圆筒的两端设有冷却液接口；在两个法兰的外侧通过数个绝缘子各连接一个阳极支架。
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