[实用新型]一种采用蓝宝石衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 201220474628.1 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN202772173U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 徐广忠 | 申请（专利权）人： | 泰州普吉光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225300 江苏省泰州市海*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于发光二极管技术领域，提供了一种采用蓝宝石衬底的发光二极管，所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片，所述LED芯片具体包括n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述n型GaN层引出n电极，在p电极上形成接触电极，所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层，所述金属反光层下面设有固晶材料层，所述固定材料层设置在一固定支架上。本实用新型在蓝宝石衬底下表面设有金属反光层，同时配合使用良好导热特性的固晶材料，出光效率高，而且性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 蓝宝石 衬底 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种采用蓝宝石衬底的发光二极管，其特征在于，所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片，所述LED芯片具体包括n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述n型GaN层引出n电极，在p电极上形成接触电极，所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层，所述金属反光层下面设有固晶材料层，所述固定材料层设置在一固定支架上。
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