[实用新型]一种破碎多晶硅的装置有效
| 申请号： | 201220475720.X | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN202845134U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘桂林;银波;胡光健;周慧 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/00 | 分类号： | B02C19/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种破碎多晶硅的装置，该装置包括高压变电器、高压整流器、充电电容、隔离间隔开关、水池、以及浸在水池中的第一电极、和第二电极，其中：所述高压变电器的一次绕组接市电，二次绕组的第一连接端依次与高压整流器、隔离间隔开关和第一电极连接，二次绕组的第二连接端接地、并与第二电极连接，充电电容连接在高压整流器和隔离间隔开关的公共端与第二绕组和第二电极的公共端之间。本实用新型所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本实用新型不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 破碎 多晶 装置 | ||
【主权项】：
一种破碎多晶硅的装置，其特征在于：该装置包括高压变电器（B）、高压整流器（G）、充电电容（C）、隔离间隔开关（K）、水池（F）、以及浸在水池（F）中的第一电极（1）和第二电极（2），其中：所述高压变电器（B）的一次绕组接市电，二次绕组的第一连接端依次与高压整流器（G）、隔离间隔开关（K）和第一电极（1）连接，二次绕组的第二连接端接地、并与第二电极（2）连接，充电电容（C）连接在高压整流器（G）和隔离间隔开关（K）的公共端与第二绕组和第二电极（2）的公共端之间。
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