[实用新型]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201220483151.3 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN202871803U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;崔介东;王芸;曹欣;石丽芬 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0392;H01L31/0236 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 倪波 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,自下而上依次有钼电极层、铜铟镓硒吸收层、硫化锌缓冲层、本征氧化锌层和掺铝氧化锌层,在钼电极层下方设有高碱铝硅酸盐玻璃基板,掺铝氧化锌层上方还设有氟化镁减反射膜和硫化锌减反射膜,高碱铝硅酸盐玻璃基板上表面及其上方各层均具有绒面结构;双层减反射膜的设置,可以更好地使太阳光线透过电池窗口层进入吸收层内部,绒面结构有利于Na+穿过钼电极层中的小孔或狭隘进入铜铟镓硒吸收层内部,同时对光线有更好的陷光效果,增加光线的吸收,有利于提高光电转换效率;高碱铝硅酸盐玻璃基板具有明显的高强度特征,保证电池在野外长期发电环境中具备优异的抗损伤、抗冲击性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,自下而上依次包括有钼电极层、铜铟镓硒吸收层、硫化锌缓冲层、本征氧化锌层和掺铝氧化锌层,其特征在于,所述钼电极层下方设有高碱铝硅酸盐玻璃基板,所述掺铝氧化锌层上方还设有氟化镁减反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的