[实用新型]调压电路有效
| 申请号： | 201220485329.8 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN202795115U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周晓东;王纪云;王晓娟 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种调压电路。该电路包括NMOS晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NMOS晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 调压 电路 | ||
【主权项】：
一种调压电路，其特征在于，包括NMOS晶体管（Q1）、NPN双极型晶体管（T1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、可调电阻（RW1）和肖特基势垒二极管（Z1）；所述NMOS晶体管（Q1）的栅极通过第一电阻（R1）连接至电压源（VDD）并通过可调电阻（RW1）连接至地（GND），源极接地（GND），漏极连接至肖特基势垒二极管（Z1）的负极端、NPN双极型晶体管（T1）的基极以及通过第二电阻（R2）连接至电压源（VDD）；肖特基势垒二极管（Z1）的正极端接地；NPN双极型晶体管（T1）的源极接地（GND），集电极作为输出端（Vout）的负极。
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