[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路有效
| 申请号： | 201220489192.3 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN202998034U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 靳冶;杨后跃;刘华胜 | 申请（专利权）人： | 上海华兴数字科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 袁亚军 |
| 地址： | 201299 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路，属于驱动电路技术领域，其中，包括光耦隔离装置，第一三极管，第二三极管，栅极电阻和绝缘栅双极型晶体管，第一三极管的发射极与第二三极管的发射极相连，第一三极管的基极与第二三极管的基极并联，并连接光耦隔离装置；栅极电阻连接第一三极管的发射极和第二三极管的发射极，并与绝缘栅双极型晶体管连接；在栅极电阻上并联一个电容，电容的正极与第一三极管的发射极和第二三极管的发射极连接，电容的负极与绝缘栅双极型晶体管连接。上述技术方案的有益效果是：能够在提高开关速率，降低功耗的同时抑制电流和电压的过冲，使得IGBT的性能得到更好的利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，包括光耦隔离装置，第一三极管，第二三极管，栅极电阻和绝缘栅双极型晶体管，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极相连，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极并联并连接所述光耦隔离装置；所述栅极电阻连接所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极，并与所述绝缘栅双极型晶体管连接； 所述栅极电阻上并联有一电容，所述电容的正极与所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极连接，所述电容的负极与所述绝缘栅双极型晶体管连接。
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