[实用新型]选择性腐蚀石英晶片的装置有效
| 申请号： | 201220492831.1 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN202841068U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 唐劲;张帮岭 | 申请（专利权）人： | 铜陵晶越电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04;C30B33/10 |
| 代理公司： | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 244000 安徽省铜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种选择性腐蚀石英晶片的装置，包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板，上夹板下端面与下夹板上端面上有相互配合的平面区域，下夹板上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔，上、下夹板上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔，腐蚀孔的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。本实用新型结构简单，装配方便，可以满足石英晶片深度腐蚀的要求，与曝光掩膜法相比，具有加工工序短、操作简单的优点，可以大幅度降低晶片加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 腐蚀 石英 晶片 装置 | ||
【主权项】：
选择性腐蚀石英晶片的装置，其特征是：包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板(1、2)，上夹板(1)下端面与下夹板(2)上端面上有相互配合的平面区域，下夹板(2)上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔，上、下夹板(1、2)上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔(11、21)，腐蚀孔(11、21)的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。
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