[实用新型]一种用于MOCVD设备反应室的均气装置有效
申请号: | 201220499888.4 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN202881383U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 肖四哲;邓金生;贺有志;王钢;范冰丰;童存声 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司;佛山市中山大学研究院 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种反应室均气装置,包括:设于反应室上方的法兰,该法兰设有上下两层隔开的气源腔室,所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽,上下两层气源腔室的出口设有均流网,第一气源依次与上下层气源腔室连通,第二气源与下层气源腔室连通。本实用新型能较好地为反应室内提供均匀的气氛场,从而提高批量生产的合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 反应 装置 | ||
【主权项】:
一种反应室均气装置,其特征在于包括:设于反应室上方的法兰,该法兰设有上下两层隔开的气源腔室,所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽,上下两层气源腔室的出口设有均流网,第一气源依次与上下层气源腔室连通,第二气源与下层气源腔室连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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