[实用新型]电源钳位ESD保护电路有效
| 申请号： | 201220500361.9 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202917970U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 马和良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电源钳位ESD保护电路，包括：一缓冲电路，由第一PMOS管和第一NMOS管组成，第一PMOS管的源极与电源相连接，第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极相连接，第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极相连接，第一NMOS管的源极接地；一泄放电路，由第二NMOS管构成，其栅极与所述缓冲电路中的第一PMOS管的漏极相连接，其漏极与电源相连接，其源极接地；一检测电路，由第三NMOS管和一电容构成，第三NMOS管的栅极和漏极与电源相连接，其源极与电容的一端和所述缓冲电路中第一PMOS管的栅极相连接，电容的另一端接地。本实用新型能比较显著的提高芯片的ESD防护能力，并且可以节省芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种电源钳位ESD保护电路，包括： 一缓冲电路，由第一PMOS管和第一NMOS管组成，所述第一PMOS管的源极与电源相连接，第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极相连接，第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极相连接，第一NMOS管的源极接地； 一泄放电路，由第二NMOS管构成，其栅极与所述缓冲电路中的第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极相连接，其漏极与电源相连接，其源极接地；其特征在于，还包括： 一检测电路，由第三NMOS管和一电容构成，所述第三NMOS管的栅极和漏极与电源相连接，其源极与所述电容的一端和所述缓冲电路中第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极相连接，所述电容的另一端接地。
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