[实用新型]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，所述电池从上而下依次为：电池的正极、透明导电电极、非晶硅P层、非晶硅本征层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电电极、电池的负极；该电池充分的利用了太阳的光谱，并具有双面发电的优势，本实用新型最大限度的提高晶体硅的有效少子寿命；提高电池的转化效率；再则，整个制造过程采用薄膜电池的制备工艺和设备，制造成本较低。

主权项

一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，其特征在于：包括： N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、微晶硅P层（c）、非晶硅N层（d）、微晶硅N层（e）、非晶硅本征层（f）、非晶硅P层（g）、透明导电电极（h）、电池的正极（j）和电池的负极（k）；所述电池从上而下依次为：电池的正极（j）、透明导电电极（h）、非晶硅P层（g）、非晶硅本征层（f）、微晶硅N层（e）、微晶硅P层（c）、非晶硅I层（b）、N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、非晶硅N层（d）、透明导电电极（h）、电池的负极（k）。