[实用新型]一种圆片级LED芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201220515913.3 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN202871856U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 张黎;陈栋;段珍珍;赖志明;陈锦辉 申请(专利权)人: 江阴长电先进封装有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/56;H01L33/62;H01L33/54
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼然
地址: 214429 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种圆片级LED芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。它包括LED晶片(1)和硅本体(2),所述LED晶片(1)的正面设有电极,所述硅本体(2)正面形成硅腔(2-1),在硅腔(2-1)表面沉积金属层(3),LED晶片(1)倒装于硅腔(2-1)底部,所述硅本体(2)背面设有若干个硅通孔(2-2),在硅通孔(2-2)内壁和硅本体(2)背面设有绝缘保护层(6),所述绝缘保护层(6)的外表面设有金属线路层(7)和线路表面保护层(8),所述金属线路层(7)与电极连接,并分别连通P电极(1-1)和N电极(1-2)所对应的硅通孔(2-2),使LED晶片(1)产生的热尽快散出。本实用新型的芯片结构散热性能好、出光效率高和封装可靠性好。
搜索关键词: 一种 圆片级 led 芯片 封装 结构
【主权项】:
一种圆片级LED芯片封装结构,包括LED晶片(1)和硅本体(2),所述LED晶片(1)的正面设有电极,所述电极包括P电极(1‑1)和N电极(1‑2),所述电极周围设有绝缘层(1‑3),其特征在于:所述硅本体(2)正面形成硅腔(2‑1),在硅腔(2‑1)表面沉积金属层(3),LED晶片(1)倒装于硅腔(2‑1)底部;所述硅本体(2)上方设有玻璃壳体(4),玻璃壳体(4)通过绝缘胶体(5)与硅本体(2)连接;所述硅本体(2)背面设有若干个硅通孔(2‑2),所述硅通孔(2‑2)直达电极的正面、阵列排布并布满整个电极所对应的硅本体(2)的背面,在硅通孔(2‑2)内壁和硅本体(2)背面设有绝缘保护层(6),所述绝缘保护层(6)的外表面设有金属线路层(7)和线路表面保护层(8),所述金属线路层(7)与电极连接,并分别连通P电极(1‑1)和N电极(1‑2)所对应的硅通孔(2‑2),所述金属线路层(7)的末端分别设置P电极(1‑1)和N电极(1‑2)所对应的焊球或金属凸点(9),所述线路表面保护层(8)覆盖金属线路层(7)的外围,并露出焊球或金属凸点(9)。
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