[实用新型]参考电流产生电路

摘要

本实用新型公开了一种参考电流产生电路。该电路包括参数相同的第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5），参数相同的第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5）、第六NMOS管（N6），电阻（R）。本实用新型的有益效果是：产生的参考电流较稳定，切与集成电路中的其他数字电路器件工艺兼容，不用增加额外工艺，切占用芯片面积较小，降低成本。

主权项

一种参考电流产生电路，其特征在于，该电路包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5）、第六NMOS管（N6）和电阻（R）；所述第一PMOS管（P1）的源极接电压源（VDD），栅极接地，漏极与第一NMOS管（N1）的栅极和第二NMOS管（N2）的漏极连接；第二PMOS管（P2）的源极通过电阻（R）连接电压源（VDD），栅极与第四PMOS管（P4）的栅极和漏极、第五PMOS管（P5）的漏极、第一NMOS管（N1）的漏极连接，漏极与第三PMOS管（P3）的源极连接；第三PMOS管（P3）的栅极与第五PMOS管（P5）的栅极和漏极、第五NMOS管（N5）的漏极连接，漏极与第三NMOS管（N3）的漏极和栅极、第五NMOS管（N5）的栅极连接；第四PMOS管（P4）的源极与电压源（VDD）连接；所述第一NMOS管（N1）的源极接地；第二NMOS管（N2）的源极接地，栅极与第三NMOS管（N3）的源极、第四NMOS管（N4）的栅极和漏极、第六NMOS管（N6）的栅极连接；第四NMOS管（N4）的源极接地；第六NMOS管（N6）的源极接地，漏极连接第五NMOS管（N5）的源极。