[实用新型]MEMS巨磁阻式高度压力传感器有效
| 申请号： | 201220541716.9 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN202853815U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李孟委;刘泽文;刘双红;孙剑文 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中北大学 |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 磁阻 高度 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，包括：键合基板（1）；铁磁性薄膜承载体（10），设置在键合基板（1）上方，上部分为弹性薄膜（4），下部分为垫衬框体（2），垫衬框体（2）四周与键合基板（1）相连接；铁磁性薄膜（3），设置在铁磁性薄膜承载体（10）的弹性薄膜（4）下表面的中心位置；巨磁敏电阻（7），设置在键合基板（1）上表面中心位置，与铁磁性薄膜（3）的位置正对；保护罩（5），固定在铁磁性薄膜承载体（10）的上方，保护罩（5）上表面的中间设置连通保护罩（5）的内腔（23）和外界的通孔形的接触孔（6）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;中北大学，未经清华大学;中北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220541716.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种真空负荷开关充气气箱气密性检测工装
- 下一篇：用于量热仪的自动定容装置
