[实用新型]电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器

摘要

本实用新型公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。

主权项

一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，其特征在于：所述的探测器的结构为在磷化铟衬底（1）上依次生长磷化铟层（2）、InxGa1‑xAs层（3）、右掺杂InyGa1‑yAs层（4）和左掺杂InyGa1‑yAs层（5）、右掺杂InzGa1‑zAs层（6）和左掺杂InzGa1‑zAs层（7）以及正电极层（8）和负电极层（9）；其中： 所述的磷化铟衬底（1）厚度为0.5—1.5mm； 所述的磷化铟缓型层（2）厚度为50—150nm； 所述的InxGa1‑xAs层（3）的厚度为2000—3000nm； 所述右掺杂InyGa1‑yAs层（4）和左掺杂InyGa1‑yAs层（5）的厚度为50—150nm； 所述的右掺杂InzGa1‑zAs层（6）和左掺杂InzGa1‑zAs层（7）厚度为250—350nm； 所述的正电极层（8）和负电极层（9）厚度为350—450nm，由金和锡溅射而成，用来兼做耦合天线和正负电极，该电极层覆盖在右掺杂InzGa1‑zAs层（4），左掺杂InzGa1‑zAs层（5），右掺杂InyGa1‑yAs层（6）和左掺杂InyGa1‑yAs层（7）和InxGa1‑xAs层（3）形成的台阶的两侧表面和两侧边缘，并在接触处形成欧姆接触，而大部分的电极层都溅射在台阶两侧的表面上；右电极层（8）和左电极层（9）围绕探测器中心线两边成对称分布，对称分布结构中，正负电极指向对称中心的四个顶点D与右掺杂InzGa1‑zAs层（6）和左掺杂InzGa1‑zAs层（7）的边缘四个顶点重合且使其表面连接。