[实用新型]一种倒装芯片的封装结构有效
申请号: | 201220546550.X | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN202888190U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 郝林岗;孙夏 | 申请(专利权)人: | 美泰普斯光电科技(大连)有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/024 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 王树本 |
地址: | 116000 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种倒装芯片的封装结构,包括光电探测芯片和热沉,所述光电探测芯片的受光面中心处设有有源区,所述光电探测芯片的背光面的中心处为正引出脚,所述背光面的两侧设有负引出脚,所述光电探测芯片的正引出脚和负引出脚镀有金锡焊料层,所述热沉的表面设有正极传输线和负极传输线,所述光电探测芯片的背光面焊接与所述热沉上,且使所述正引出脚与负引出脚分别与正极传输线和负极传输线焊接导通。实用新型结构简单,提高了光电探测芯片在组装时的合格率,避免金线键合时绑定机针头对光电探测芯片的损害,并可有效减小金线间电感效应且成本较低,易于实施。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种倒装芯片的封装结构,包括光电探测芯片和热沉,所述光电探测芯片的受光面中心处设有有源区,所述光电探测芯片的背光面的中心处为正引出脚,所述背光面的两侧设有负引出脚,其特征在于,所述光电探测芯片的正引出脚和负引出脚镀有金锡焊料层,所述热沉的表面设有正极传输线和负极传输线,所述光电探测芯片的背光面焊接于所述热沉上,且使所述正引出脚与负引出脚分别与正极传输线和负极传输线焊接导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的