[实用新型]一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪

摘要

本实用新型涉及辐射监测技术，具体涉及一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。该监测仪采用硅PIN二极管为探测器，主要由探测装置、现场处理和显示单元组成，探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管以及多个用于量程低端测量的高敏二极管，多个高敏二极管以低敏二极管为中心对称设置在电路板上。具有量程范围大、能量响应好、可靠性高、维修方便等优点。探测装置组合使用不同灵敏度的探测器来扩大量程范围，并通过硬补偿的方式优化探测器的能量响应。现场处理和显示单元采用模块化设计，能够实现基本参数设置、测量数据实时显示、存储和传输、在线测试、声光报警等功能。

主权项

一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，包括探测装置（1），以及与探测装置（1）相连接的现场处理和显示单元（2），其特征在于：所述的探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，所述的硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管（8），以及多个用于量程低端测量的高敏二极管（9），多个高敏二极管（9）以低敏二极管（8）为中心对称设置在电路板（10）上。