[实用新型]一种改善扩散区域形貌的功率器件

摘要

本实用新型提出了一种改善扩散区域形貌的功率器件，该功率器件包括衬底、外延层、埋层、源区，源区与外延层之间的埋层为导电沟道区，在靠近导电沟道区的外延层内形成有预扩散区，该功率器件还包括栅介质层、栅极、介质层、正面金属层、背面扩散区和背面金属层。本实用新型预扩散区使埋层向外延层平缓扩展，改善了沟道边缘扩散区域的形貌，优化了器件在高温高压下的电场分布，从而降低器件在高温高压下的漏电水平，能够大幅提高功率MOSFET、IGBT等功率器件的热可靠性，适合高温、大功率环境下工作的需要，并且制造过程与现有的功率器件工艺完全兼容，结构简单、制造方便，提高了生产效率和成品率。

主权项

一种改善扩散区域形貌的功率器件，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层与所述衬底均为N型掺杂；在所述外延层内形成有埋层，所述埋层的上表面与外延层的上表面位于同一平面，所述埋层为P型掺杂；在所述埋层内形成有源区，所述源区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述源为N型掺杂；在所述外延层内形成有预扩散区，所述预扩散区与所述埋层连接，且所述预扩散区的上表面与所述外延层的上表面位于同一平面，所述预扩散区为P型掺杂；在所述外延层的上表面上形成有栅介质层和栅极，所述栅介质层和栅极覆盖在埋层及所述源区的一部分之上；在所述栅极和外延层之上形成有介质层和正面金属层；在所述衬底之下形成有背面扩散区；以及在所述背面扩散区之下形成有背面金属层。