[实用新型]掩膜版有效
申请号: | 201220600331.5 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN202886836U | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 李伟;刘富军;朱杰;魏崇喜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于电子和显示制造技术领域,公开了一种掩膜版。通过在形成在透明衬底表面上的遮光层上覆盖透明的防护层,使得在近接曝光形式的曝光过程中,待曝光器件上的光刻胶挥发出的升华物凝结在防护层表面,易于清洗,同时还可以有效防止待曝光器件上的硬质颗粒划伤遮光层,造成掩膜版难以修复的损伤。由于防护层仅覆盖在掩膜版中部的图案区,能够避免掩膜版在搬运过程中损坏防护层。且防护层的厚度为0.1mm左右,相较于掩膜版的厚度(一般为13mm),防护层对光线的吸收可以忽略,不会对曝光过程产生影响。其中,防护层的材质可以为石英玻璃,使得曝光过程中防护层对光线的反射和散射很小,可以忽略,不会影响曝光时的光线分布。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,其特征在于,包括透明的衬底和形成在所述衬底表面上的图案化的遮光层,还包括覆盖在所述遮光层上的透明的防护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220600331.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备