[实用新型]一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器有效
| 申请号： | 201220611066.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN202968738U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 曲翔;梁书正 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器，包括反射器主体，以及反射器主体上连接的气体发射器，该气体发射器包括铜质镀银的环形管，环形管上开有数个气孔，该环形管的两端分别设有进气阀和泄压阀。本实用新型对气相掺杂源的结构进行了改进，气体发射部分安装到反射器主体上，在气相掺杂单晶生长过程中，从气体发射器中发射出的掺杂气体对掺杂气流有明显改善效果，掺杂气流能够更加均匀的分布在熔区周围，使得熔区对掺杂气体的吸收率大大增加，从而提高了气相掺杂硅单晶的电阻均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔法 生长 掺杂 硅单晶用 反射 | ||
【主权项】：
一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器，包括反射器主体，其特征在于：该反射器主体上连接有气体发射器，该气体发射器包括铜质镀银的环形管，环形管上开有数个气孔，该环形管的两端分别设有进气阀和泄压阀。
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