[实用新型]一种PECVD设备及应用于其反应腔内的天线有效
| 申请号： | 201220613238.8 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202936480U | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 凌鸿锋 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/511 | 分类号： | C23C16/511 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于PECVD设备的反应腔内的天线，包括管部和天线部，所述天线部的头部插于底部内，所述管部和天线部均为金属材质，所述天线部表面镀有不易氧化的金属层。本实用新型可以避免在微波导波过程中，天线因表面氧化造成与铜管接触不良产生放电的现象，减小设备故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 设备 应用于 反应 天线 | ||
【主权项】：
一种应用于PECVD设备的反应腔内的天线，包括管部和天线部，所述天线部的一端插于管部内，所述管部和天线部均为金属材质，其特征在于，所述天线部表面镀有不易氧化的金属层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
