[实用新型]电火工品用半导体桥换能芯片有效

专利信息
申请号: 201220618921.0 申请日: 2012-11-21
公开(公告)号: CN202974055U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 秦志春;田桂蓉;叶家海;张文超;朱顺官;张琳;徐振相 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: F42B3/13 分类号: F42B3/13
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片,包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形,本实用新型因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区,使其在电磁场的环境中场强密度均匀,不易出现场强在局部集中密度增强的问题,同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求,结构特别简单不需要增加成本;容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。
搜索关键词: 电火工品用 半导体 桥换能 芯片
【主权项】:
一种电火工品用半导体桥换能芯片,包括多晶硅桥台阶(1)、电极(4)和绝缘层(3),其特征在于:多晶硅桥台阶(1)与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形。
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