[实用新型]一种雪崩光电二极管APD耦合电源有效
| 申请号： | 201220624615.8 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN202975081U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄秋元 | 申请（专利权）人： | 武汉普赛斯电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/28 | 分类号： | G01R1/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。本实用新型采取了上述技术方案以后，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源和调制光源，并具有较高的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 apd 耦合 电源 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。
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