[实用新型]一种晶体硅组件有效
申请号: | 201220629984.6 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN202948954U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 刘俊辉;刘亚锋 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 334100 江西省上饶市经济开发区*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶体硅组件,包括基板和在上述基板上串联连接的电池片,电池片呈行列排布,电池片的行数小于列数,且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管,n为奇数。可见,本实用新型中,电池片采用了行数小于列数的横向排版方式,且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管,相比于现有技术中的行数大于列数的纵向排版方式,与旁路二极管并联的电池片的数量减少,在本实用新型提供的晶体硅组件发生局部热斑效应,而使得对应的旁路二极管导通时,被短接的电池片的数量减少,从而整个组件的输出功率的降低也相应地减少。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 组件 | ||
【主权项】:
一种晶体硅组件,包括基板(1)和在所述基板(1)上串联连接的电池片(2),所述电池片(2)呈行列排布,其特征在于,所述电池片(2)的行数小于列数;且在n和n+1列之间并联设置有旁路二极管(3),n为奇数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的