[实用新型]光隔离电源结构有效
申请号: | 201220635200.0 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN203026518U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 王小娜 | 申请(专利权)人: | 西安思能网络科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 潘宪曾 |
地址: | 710003 陕西省西安市高新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种电源,特别是一种光隔离电源结构。至少包括壳体,壳体为铝合金壳体,左右两端有导槽,后端端盖通过螺丝连接,后端端盖内有多层U型导电块,U型导电块与两端导槽槽口中线齐平,插件式面阵光源板通过壳体前端插入导槽槽口后进入U型导电块内,形成并行连接,插件式面阵光源板有多层,分上面阵光源和下面阵光源,上面阵光源和下面阵光源分别直对硅光电池板,硅光电池板组成并行或串行或串并接合输出,正负输出端在壳体的上端。 | ||
搜索关键词: | 隔离 电源 结构 | ||
【主权项】:
光隔离电源结构,其特征是:至少包括壳体,壳体为铝合金壳体,左右两端有导槽,后端端盖通过螺丝连接,后端端盖内有多层U型导电块,U型导电块与两端导槽槽口中线齐平,插件式面阵光源板通过壳体前端插入导槽槽口后进入U型导电块内,形成并行连接,插件式面阵光源板有多层,分上面阵光源和下面阵光源,上面阵光源和下面阵光源分别直对硅光电池板,硅光电池板组成并行或串行或串并接合输出,正负输出端在壳体的上端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的