[实用新型]一种高频微带基片式环行器有效
| 申请号： | 201220636501.5 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203085719U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘旷希;唐正龙 | 申请（专利权）人： | 南京广顺电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01P1/387 | 分类号： | H01P1/387 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211132 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高频微带基片式环行器，包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、微带电路和永磁体，所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28-0.32mm，所述微带电路设置在所述尖晶石铁氧体基片上表面，所述永磁体设置在所述微带电路上，所述永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片的下表面固定在底座上；本实用新型结构简单、体积小，适用于表面贴装和微电路集成，并且满足较高频率范围的工作要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 微带 基片式 环行器 | ||
【主权项】：
一种高频微带基片式环行器，包括底座、铁氧体基片、微带电路和永磁体，所述微带电路设置在所述铁氧体基片上表面，所述永磁体设置在所述微带电路上，所述永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，所述铁氧体基片的下表面固定在底座上，其特征在于，所述铁氧体基片为饱和磁矩等于5000Gs的尖晶石铁氧体基片，其厚度为0.28‑0.32mm。
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