[实用新型]一种多晶硅真空区熔线圈有效
| 申请号： | 201220641842.1 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN203049079U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王遵义;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;刘铮;涂颂昊;乔柳;冯啸桐 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种多晶硅真空区熔线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶，所述台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平面呈一倾斜角。本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的多晶硅真空区熔线圈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 真空 线圈 | ||
【主权项】：
一种多晶硅真空区熔线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶，所述台阶底部一端与所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平面呈一倾斜角；所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝，分别为第一切缝、第二切缝、第三切缝和第四切缝，在所述线圈骨架外圆沿第一切缝方向的一侧设有连接电极的法兰，所述法兰与第一切缝间开有一条主缝，在所述线圈骨架上沿第二切缝、第三切缝和第四切缝的方向还分别开有第一副缝、第二副缝和第三副缝，所述主缝和副缝的宽度均小于所述十字切缝的宽度。
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