[实用新型]一种PPTC与ESD模组有效

专利信息
申请号: 201220649277.3 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN202977419U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 陈锦标 申请(专利权)人: 东莞市竞沃电子科技有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02H9/02;H02H9/04
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 李玉平
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种PPTC与ESD模组,包括PPTC芯片、ESD芯片、左电极、右电极以及中间电极,PPTC芯片的左上端设有上导电膜以及上方设有上绝缘层,上导电膜位于上绝缘层与PPTC芯片之间;PPTC芯片右下端设有中间第一导电膜,PPTC芯片下方设有中间绝缘层,中间第一导电膜位于PPTC芯片与中间绝缘层之间,ESD芯片右上端面与中间绝缘层连接,左上方设有中间第二导电膜,ESD下方设有下绝缘层,下绝缘层上端面设有下导电膜,下导电膜分别与ESD芯片和下绝缘层连接;右电极与中间第一导电膜连接,左电极与上导电膜以及中间第二导电膜连接,中间电极与下导电膜连接。本实用新型便于自动化贴装,提高加工效率。
搜索关键词: 一种 pptc esd 模组
【主权项】:
一种PPTC与ESD模组,其特征在于:包括PPTC芯片、ESD芯片、右电极、左电极以及中间电极,所述PPTC芯片的左上端设有上导电膜,所述PPTC芯片的上方设有上绝缘层,上导电膜位于上绝缘层与PPTC芯片之间,且上绝缘层与PPTC芯片的右上端面连接;所述PPTC芯片的右下端设有中间第一导电膜,PPTC芯片的下方设有中间绝缘层,中间绝缘层与PPTC芯片的左下端面连接,中间第一导电膜位于PPTC芯片与中间绝缘层之间,所述ESD芯片的右上端面与中间绝缘层连接,ESD芯片的左上方设有中间第二导电膜,且中间第二导电膜位于中间绝缘层与ESD芯片之间,ESD芯片的下方设有下绝缘层,其中下绝缘层的上端面的中部设有下导电膜,下导电膜分别与ESD芯片和下绝缘层连接;所述右电极与中间第一导电膜的右侧面连接,所述左电极与上导电膜的左侧面以及中间第二导电膜的左侧面连接,所述中间电极与下导电膜连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市竞沃电子科技有限公司,未经东莞市竞沃电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220649277.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top