[实用新型]一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路有效

专利信息
申请号: 201220650690.1 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN202940722U 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 张茂强;汪涛;李乐乐;刘磊;陈赤汉 申请(专利权)人: 南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路,包括两个均压电容、两个均压电阻、门极电阻、均压二极管、门极二极管和门极TVS管,第一均压电阻与第一均压电容并联后,一端连接IGBT的集电极,另一端分别连接第二均压电容的一端、均压二极管的阳极和门极二极管的阳极,均压二极管的阴极经由第二均压电阻连接第二均压电容的另一端;门极二极管的阴极与门极TVS管的阴极连接,门极TVS管的阳极经由门极电阻连接IGBT的门极,IGBT的功率发射极连接在第二均压电容与第二均压电阻之间。此电路在实现串联IGBT动静态均压的基础上,可对超过设定门槛值的关断电压过冲进行限制,使IGBT能够安全高效运行。
搜索关键词: 一种 电压 门槛 限制 igbt 串联 静态 压电
【主权项】:
一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路,其特征在于:包括两个均压电容、两个均压电阻、门极电阻、均压二极管、门极二极管和门极TVS管,其中,第一均压电阻与第一均压电容并联后,该并联电路的一端连接IGBT的集电极,另一端分别连接第二均压电容的一端、均压二极管的阳极和门极二极管的阳极,所述均压二极管的阴极则经由第二均压电阻连接第二均压电容的另一端;所述门极二极管的阴极与门极TVS管的阴极连接,而门极TVS管的阳极经由门极电阻连接IGBT的门极,所述IGBT的功率发射极连接在第二均压电容与第二均压电阻之间。
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