[实用新型]一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器有效
| 申请号： | 201220651429.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN202977532U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;王青;孙华军;徐小华;张金箭 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速的高低阻切换，可应用于未来高密度低功耗的非易失性存储器；该器件制备工艺简单，GST作为功能材料性能稳定、成本低，满足大规模量产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ge sub se te 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，其特征在于，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。
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