[实用新型]用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置有效
| 申请号： | 201220657024.0 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203055884U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赖守亮 | 申请（专利权）人： | 赖守亮 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，包括承载盘，其特征在于：所述承载盘设置有盘底板，所述盘底板正面上设有一个或多个凹陷坑，形成用于放置晶片衬底的一个或多个容置腔；所述容置腔的周缘形成盘侧壁，所述盘底板与容置腔对应的凹陷坑底面上开设有作为供背冷氦气流过的气体通孔；所述凹陷坑底面设置为平整的底面，用于便于限定晶片衬底的位置；所述承载盘的外廓与下电极的平面尺寸匹配，即等于或小于下电极的平面尺寸；和/或，所述凹陷坑底面的平面大小与所述晶片衬底的外廓大小匹配，即等于或大于所述晶片衬垫的面积。本实用新型提供的用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，既能够具有很好的散热降温效果，冷却均匀，且晶片易于取下，不会破损的用于真空等离子体工艺，又具有较好的机械强度，可以在工艺过程中反复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 等离子体 工艺 晶片 衬底 承载 装置 | ||
【主权项】：
一种用于真空等离子体工艺的晶片衬底承载装置，包括承载盘，其特征在于：所述承载盘设置有盘底板，所述盘底板正面上设有一个或多个凹陷坑，形成用于放置晶片衬底的一个或多个容置腔；所述容置腔的周缘形成盘侧壁，所述盘底板与容置腔对应的凹陷坑底面上开设有作为供背冷氦气流过的气体通孔；所述凹陷坑底面设置为平整的底面，用于便于限定晶片衬底的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
