[实用新型]一种IGBT有效
| 申请号： | 201220657534.8 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN203013733U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种IGBT，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构；位于两个沟槽栅结构之间的开口；位于开口底部的平面假栅结构，该平面假栅结构的厚度小于或等于开口的深度。本实用新型所提供的IGBT在两个沟槽栅结构之间设置有一个平面假栅结构，使沟槽栅结构之间的距离变大，从而使单位面积芯片导电沟道的密度降低，提高了器件的抗短路能力；并且，本实用新型中的平面假栅结构并不形成导电沟道，且能够改善沟槽栅处的电场分布，使器件在保证器件具有较强的抗短路能力的基础上，其击穿电压不会减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt | ||
【主权项】：
一种IGBT，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构；位于所述两个沟槽栅结构之间的开口，所述开口底部为平面，且所述开口的深度小于所述沟槽栅结构的深度，所述开口的侧壁与所述两个沟槽栅结构的侧壁之间均具有间隙；位于所述开口底部的平面假栅结构，所述平面假栅结构的厚度小于或等于所述开口的深度。
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