[实用新型]一种具有终端保护结构的IGBT芯片有效
| 申请号： | 201220657945.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203071079U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 赵哿;高明超;刘江;金锐 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电力电子领域的功率器件，具体涉及一种具有终端保护结构的IGBT芯片，终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接。IGBT芯片制造方法包括下述步骤：（一）制作IGBT芯片P型连续场限环结构；（二）制作IGBT芯片场氧化膜结构；（三）制作IGBT 芯片栅极结构和多级场板部分结构；（四）制作IGBT芯片有源区结构和P型连续场限环的延伸结构；（五）制作IGBT芯片电极互连结构；（六）制作IGBT芯片钝化保护结构；（七）制作IGBT芯片背面结构。本实用新型在能够保证600V至6500V的IGBT器件耐压性能的同时，还缩小终端保护区域的面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 终端 保护 结构 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有终端保护结构的IGBT芯片，所述IGBT芯片包括终端保护结构，其特征在于，所述终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接。
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