[实用新型]一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件有效
| 申请号： | 201220658089.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN202997297U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张会云;张晓;尹贻恒;张洪艳;申端龙;吴志心;张玉萍 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266590 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的两块低电导率、非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现光参量和电光调Q两种功能的同时消除了走离角、补偿了静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ktp 晶体 参量 电光 器件 | ||
【主权项】：
一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于：电光晶体包括两块以非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）；两KTP晶体均通过温度控制实现参量相位匹配；在第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（3），下通电面镀金膜（4），在相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（5），后通电面镀金膜（6）；从第一块KTP晶体（1）上通电面镀金膜（3）和第二块KTP晶体（2）前通电面镀金膜（5）引出金线，连接到正电极（7）；从第一块KTP晶体（1）的下通电面镀金膜（4）和第二块KTP晶体（2）的后通电面镀金膜（6）引出金线，连接到负电极（8）；电光调Q作用时采用退压工作方式。
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