[实用新型]水平结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201220664166.X | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203026553U | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 瞿崧;文国军;严华锋 | 申请（专利权）人： | 上海顿格电子贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本实用新型的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n‑GaN层（5）和p‑GaN层（2），其特征在于：所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n‑GaN层（5）和p‑GaN层（6）上涂覆一层透明SiO2绝缘层（3）， 并在n‑GaN层（5）和p‑GaN层（2）上分别镀上电极。
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