[实用新型]小面积衬底用硒源离化器有效
申请号: | 201220665280.4 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN202945323U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 赵岳;申绪男;张颖武;杨亦桐;乔在祥;赵彦民 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/30;H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种小面积衬底用硒源离化器,包括内部有两个电极形成离化腔室的方形离化器壳体,离化腔室中有加热源、离化腔室顶部有气体输出口,离化腔室底部有气体输入口,其特征在于:方形离化器壳体内壁固装有绝缘层,两个电极均为平板状电极板;电极板上有密封绝缘引出在离化器壳体外面的电极接线柱;离化腔室有通向外部的Ar气输入管。本实用新型由于采用了方便制作的两个方形电极板形成的方形离化腔室,温度400℃~500℃时,通入Ar气后形成辉光放电区;进到辉光放电区的大原子团Se蒸汽裂解成小原子团Se蒸汽,参与小面积衬底上CIGS吸收层制备,提高小面积CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率,并且结构简单、制作方便。 | ||
搜索关键词: | 面积 衬底 用硒源离化器 | ||
【主权项】:
小面积衬底用硒源离化器,包括内部有两个电极形成离化腔室的方形离化器壳体,离化腔室中有加热源、离化腔室顶部有气体输出口,离化腔室底部有气体输入口,其特征在于:方形离化器壳体内壁固装有绝缘层,两个电极均为平板状电极板,并固装在气体输出口和气体输入口之间相对应的两面内壁的绝缘层上,形成相互平行的两个电极板;两个电极板上均有密封绝缘引出在离化器壳体外面的电极接线柱;绝缘层中穿有从离化腔室通向外部的Ar气输入管;所述离化腔室底部的气体输入口为Se蒸汽输入口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的