[实用新型]稳压器有效
申请号: | 201220669157.X | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN203084588U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 周立波 | 申请(专利权)人: | 艾尔瓦特集成电路科技(天津)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 300457 天津市塘沽区经济*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型的实施方式提供了一种稳压器,包括:源跟随器,包括串联在高压输入电源和地之间的第一电阻、高压隔离开关和低压PMOS晶体管,其中所述第一电阻的第一端接所述高压输入电源而其第二端接所述高压隔离开关的第一端,所述高压隔离开关的第二端接所述低压PMOS晶体管的源极;误差放大器,其反相输入端连接至一基准电压源,其输出端耦合到所述低压PMOS晶体管的栅极;功率PMOS晶体管,其源极耦合到所述高压输入电源,其栅极耦合到所述高压隔离开关的第一端,该功率PMOS晶体管的漏极作为所述稳压器的输出端,并且经过串联的第二电阻和第三电阻接地,其中所述第二电阻和第三电阻之间的连接点耦合到所述误差放大器的同相输入端。该稳压器可以使用低压运算放大器而使成本降低,并且使用电阻产生偏置电流从而便于设计。 | ||
搜索关键词: | 稳压器 | ||
【主权项】:
一种稳压器,包括:源跟随器,包括串联在高压输入电源(Vin_high)和地之间的第一电阻(R1)、高压隔离开关(Hv_nmos)和低压PMOS晶体管(Lv_pmos),其中所述第一电阻的第一端接所述高压输入电源而其第二端接所述高压隔离开关的第一端,所述高压隔离开关的第二端接所述低压PMOS晶体管的源极;误差放大器(EA),其反相输入端连接至一基准电压源(Vref),其输出端耦合到所述低压PMOS晶体管的栅极;功率PMOS晶体管(Power_pmos),其源极耦合到所述高压输入电源,其栅极耦合到所述高压隔离开关的第一端,该功率PMOS晶体管的漏极作为所述稳压器的输出端(Vout),并且经过串联的第二电阻(R2)和第三电阻(R3)接地,其中所述第二电阻(R2)和第三电阻(R3)之间的连接点耦合到所述误差放大器的同相输入端。
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