[实用新型]三层复合结构减反射膜的光伏电池有效
申请号: | 201220681817.6 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN203103313U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 林海峰;高慧慧;曾学仁;陈国标;唐坤友;石金中 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315609 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种三层复合结构减反射膜的光伏电池。本实用新型采用在太阳能光伏电池的硅片的表面,由里向外,沉积镀有三层膜厚与折射率分别为膜厚10nm,折射率2.3;膜厚22nm,折射率2.16;膜厚50nm,折射率2.0的复合结构的氮化硅减反射膜,通过复合膜层的折射合成,扩展硅片对各频谱波段的阳光的吸收带宽,最大限度地减少反射,以提高太阳能光伏电池的电转换效率的技术方案,克服了现有技术存在减反射频谱带宽狭窄、光电转换效率难以提高的问题与不足,通过三层复合结构的氮化硅减反射膜使太阳能光伏电池达到了扩展减反射频谱带宽、提高光电转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 三层 复合 结构 减反射膜 电池 | ||
【主权项】:
一种三层复合结构减反射膜的光伏电池,其特征在于:所述的三层复合结构减反射膜的光伏电池为在太阳能光伏电池的硅片的外表面上,由里向外,沉积镀有第一层膜(1)、第二层膜(2)和第三层膜(3)三层复合结构的氮化硅减反射膜的光伏电池片,所述第一层膜(1)为膜厚10nm,折射率2.3的氮化硅减反射膜;所述第二层膜(2)为膜厚22nm,折射率2.16的氮化硅减反射膜;所述第三层膜(3)为膜厚50nm,折射率2.0的氮化硅减反射膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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