[实用新型]光敏芯片钝化结构有效

专利信息
申请号: 201220720861.3 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN202996846U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 王鸥;邱月瓴;曾璞;刘小会;周红轮;胡卫英;刘从吉;罗成思 申请(专利权)人: 西南技术物理研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹了氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。本实用新型包含了聚酰亚胺与氧化硅薄膜,芯片表面保留氧化硅钝化膜,并同P型隔离区氧化硅断开,让聚酰亚胺胶包裹隔离区氧化硅,形成完整包裹型钝化膜,有效减少了离子污染。消除了器件在背景光照下输出干扰信号,减少了不合格品的数量,提高了器件性能。
搜索关键词: 光敏 芯片 钝化 结构
【主权项】:
一种光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,其特征在于:氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。
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