[实用新型]光敏芯片钝化结构有效
申请号: | 201220720861.3 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN202996846U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 王鸥;邱月瓴;曾璞;刘小会;周红轮;胡卫英;刘从吉;罗成思 | 申请(专利权)人: | 西南技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人: | 郭纯武 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹了氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。本实用新型包含了聚酰亚胺与氧化硅薄膜,芯片表面保留氧化硅钝化膜,并同P型隔离区氧化硅断开,让聚酰亚胺胶包裹隔离区氧化硅,形成完整包裹型钝化膜,有效减少了离子污染。消除了器件在背景光照下输出干扰信号,减少了不合格品的数量,提高了器件性能。 | ||
搜索关键词: | 光敏 芯片 钝化 结构 | ||
【主权项】:
一种光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,其特征在于:氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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