[实用新型]MOS管电阻器有效
| 申请号： | 201220726774.9 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203013736U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;张亮;吴艳辉;陈丽;陈宁;谢雪松 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;刘世杰 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS管电阻器，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间的单向导通电阻单元，该单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，该第一PMOS管的衬底引出极和该第二PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。本实用新型的MOS管电阻器，结构简单，占用面积小，易于芯片集成。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电阻器 | ||
【主权项】：
一种MOS管电阻器，其特征在于，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间的单向导通电阻单元，该单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一电阻端子相连接，该第一PMOS管的栅极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接；该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的栅极和该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极和该第二电阻端子相连接；并且，该第一PMOS管的衬底引出极和该第二PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。
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