[实用新型]碳化硅横向PIN型微型核电池有效
| 申请号： | 201220734703.3 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN202976869U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张林;李清华;邱彦章;巨永锋 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池，包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，N型欧姆接触电极的垂直指条与P型欧姆接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层。本实用新型设计合理，实现方便，能量转换效率和封装密度高，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 横向 pin 微型 核电 | ||
【主权项】：
一种碳化硅横向PIN型微型核电池，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区（3）和P型SiC欧姆接触掺杂区（4），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）形状相同的N型欧姆接触电极（5），所述P型SiC欧姆接触掺杂区（4）上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区（4）形状相同的P型欧姆接触电极（6）；所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、P型SiC欧姆接触掺杂区（4）、N型欧姆接触电极（5）和P型欧姆接触电极（6）均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，所述N型欧姆接触电极（5）的垂直指条与所述P型欧姆接触电极（6）的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；所述N型SiC外延层（2）上部除去N型欧姆接触电极（5）和P型欧姆接触电极（6）的区域设置有二氧化硅层（7）。
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