[实用新型]一种碳化硅温度传感器有效
| 申请号： | 201220734974.9 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203011560U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张林;李演明;邱彦章;巨永锋 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种碳化硅温度传感器，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极（5），所述N型SiC外延层（2）上位于所述肖特基接触电极（5）的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区（3），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有圆环形的欧姆接触电极（4），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、欧姆接触电极（4）和肖特基接触电极（5）同心设置，位于所述欧姆接触电极（4）与肖特基接触电极（5）之间的N型SiC外延层（2）上部，以及位于所述欧姆接触电极（4）外围的N型SiC外延层（2）上部均设置有二氧化硅层（6）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长安大学，未经长安大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220734974.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涡旋压缩机十字滑环夹具
- 下一篇：高精绝缘子污秽亮温检测仪
