[实用新型]一种改进型大尺寸样品硒化处理装置有效
申请号: | 201220736551.0 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN203034096U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 李弢;华志强;吴云翼;郜健 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/30;G01N1/28 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘茵 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种改进型大尺寸样品硒化处理装置,包括外壳,原料容器,原料加热装置,基片支撑台,基片加热器,原料加热装置热电偶,基片加热器热电偶和温度显示及控制装置;原料容器设置在外壳内;原料容器内具有原料加热装置,原料加热装置上设置原料加热装置热电偶;基片支撑台放置于外壳内,其上设置基片加热器,基片加热器上设置基片加热器热电偶,基片放置在基片加热器上;原料加热装置,基片加热器,原料加热装置热电偶和基片加热器热电偶分别与温度显示及控制装置连接。该装置将Se源加热装置和基片加热器采用独立控温设计,可以保证Se源蒸发时蒸汽压的可控性以及基片加热时制备温度与Se源蒸发温度分别控制,从而实现精确控制反应条件和反应进程。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 尺寸 样品 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种改进型大尺寸样品硒化处理装置,其特征在于,其包括外壳(1),原料容器(2),原料加热装置(3),基片支撑台(4),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6),基片加热器热电偶(7)和温度显示及控制装置;该外壳(1)为中空密闭容器;该原料容器(2)设置在外壳(1)内,其中盛装原料硒;原料容器(2)内具有原料加热装置(3),该原料加热装置(3)上设置原料加热装置热电偶(6);该基片支撑台(4)放置于外壳(1)内,其上设置基片加热器(5),基片加热器(5)上设置基片加热器热电偶(7),基片放置在该基片加热器(5)上;该原料加热装置(3),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6)和基片加热器热电偶(7)分别与温度显示及控制装置连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的