[实用新型]光电探测器和辐射探测器有效
| 申请号： | 201220736668.9 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203218303U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张岚;赵自然;吴万龙;俞文涛;张韡 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种光电探测器和辐射探测器。该光电探测器包括：本征半导体层，具有顶部表面和底部表面；位于本征半导体层的顶部表面的P型轻掺杂区；位于本征半导体层的顶部表面的P型重掺杂区；位于本征半导体层的顶部表面的P型接触层；以及位于本征半导体层的底部表面的N型接触层，其中，P型重掺杂区与P型轻掺杂区邻接，并且P型接触层与P型重掺杂区相接触且P型接触层与P型轻掺杂区相接触。该辐射探测器包括：闪烁体，接收高能辐射并产生光；以及上述光电探测器，接收光并产生感测信号。该光电探测器可以实现高光电转换效率，进而实现高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 辐射 | ||
【主权项】：
一种光电探测器，其特征在于包括： 本征半导体层，具有顶部表面和底部表面； 位于本征半导体层的顶部表面的P型轻掺杂区； 位于本征半导体层的顶部表面的P型重掺杂区； 位于本征半导体层的顶部表面的P型接触层；以及 位于本征半导体层的底部表面的N型接触层， 其中，P型重掺杂区与P型轻掺杂区邻接，并且P型接触层与P型重掺杂区相接触且P型接触层与P型轻掺杂区相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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