[实用新型]一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件有效
申请号: | 201220737305.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN203589006U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王虎;谌世广;刘卫东;朱文辉;徐召明 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件,所述封装件主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。本实用新型具有节约封装成本、以及散热性、电性能和共面性好等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 aaqfn 二次 塑封 优化 封装 | ||
【主权项】:
一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件,其特征在于:主要由蚀刻后铜引线框架(1)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、第一塑封体(5)和第二塑封体(8)、蚀刻凹槽(6)、第一锡球(7)和第二锡球(10)、镍钯金电镀层(9)组成;所述的蚀刻后铜引线框架(1)是半蚀刻处理,其通过粘片胶(2)粘接芯片(3),芯片(3)通过键合线(4)与蚀刻后铜引线框架(1)的引脚相连,所述蚀刻后铜引线框架(1)、蚀刻后铜引线框架(1)的引脚、芯片(3)和键合线(4)由第一塑封体(5)包围连接;所述蚀刻凹槽(6)由蚀刻后铜引线框架(1)底部蚀刻后形成,所述第一锡球(7)由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成,蚀刻凹槽(6)与第一锡球(7)由第二塑封体(8)包围连接;所述第一锡球(7)的横截面由磨屑形成,第一锡球(7)的横截面有镍钯金电镀层(9),所述第二锡球(10)浸锡回流后在镍钯金电镀层(9)上形成。
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