[实用新型]采用刻槽工艺形成的恒流二极管

摘要

本实用新型提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘层连接的P+隔离区；位于第一窗口对应的外延层上的P+多晶硅填充深槽；每个P+多晶硅填充深槽外设有的浅P区；位于第二窗口对应的外延层上且位于相邻两个P+多晶填充深槽区域之间的N+区；位于第一窗口、第二窗口及第一绝缘层上的负电极；位于远离外延层的衬底背面上的正电极。本实用新型解决了现有技术中出现的单位面积电流密度与恒流特性不能同时兼顾问题。

主权项

一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；一外延层，所述外延层位于衬底正面上；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在所述外延层表面上；第二绝缘层，所述第二绝缘层与第一绝缘层紧邻且位于所述外延层表面上；P+隔离区，所述P+隔离区位于外延层中且两端分别与所述衬底和第二绝缘层连接；一组P+多晶硅填充深槽，所述P+多晶硅填充深槽位于所述第一窗口对应的外延层上；一组浅P区，每个所述P+多晶硅填充深槽外有浅P区；N+区，所述N+区位于所述第二窗口对应的外延层上，且每个所述N+区位于相邻两个所述P+多晶填充深槽区域之间；负电极，所述负电极位于第一窗口、第二窗口及第一绝缘层上；正电极，所述正电极位于远离所述外延层的衬底背面上。