[实用新型]一种硅片扩散用载体有效
申请号: | 201220750488.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN202996798U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 范志东;马继奎;崔景光 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种硅片扩散用载体,其包括:设置在载体上对硅片进行定位的定位卡槽,定位卡槽的槽底宽度小于定位卡槽的开口宽度;限位装置,限位装置上设置有卡止硅片,并与定位卡槽配合以使两片硅片始终紧密接触的限位卡槽。在进行扩散工序时,由于定位卡槽的槽底宽度小于开口宽度,即与原有卡槽的槽底宽度相比,此载体的槽底宽度更小,减小了硅片受热应力时移位的活动空间,使得定位卡槽对边缘放置于槽底的硅片的卡止效果更加的突出,而且除定位卡槽对硅片进行卡止以外,还增设了同样卡止硅片的限位卡槽,使得硅片的受力点更多,硅片发生变形、移位的几率更小,减少甚至避免了硅片背面被扩散的几率,进而提高了硅片的合格率和工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 扩散 载体 | ||
【主权项】:
一种硅片扩散用载体,其特征在于,包括: 设置在所述载体上对硅片(5)进行定位的定位卡槽(1),所述定位卡槽(1)的槽底宽度小于所述定位卡槽(1)的开口宽度; 限位装置,所述限位装置上设置有卡止所述硅片(5),并与所述定位卡槽(1)配合以使两片所述硅片(5)始终紧密接触的限位卡槽(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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